1、参考书目：

西安交大刘恩科主编.《半导体物理学》.北京：电子工业出版社，2011

2、复习的总体需要

考生应学会半导体物理学的基本理论和基本定义，学会半导体中的电子状况、杂质和缺点能级、半导体中载流子的统计分布及运动规律;学会PN结基本理论;知道半导体表面及半导体的光、热、磁、压阻等各种物理现象。

3、主要复习内容

①半导体中的电子状况

熟练学会半导体中的电子运动、有效水平、本征半导体的导电机构;学会锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

②半导体中的杂质和缺点能级

熟练学会锗、硅晶体中的杂质能级;理解应用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级;理解缺点能级，位错能级。

③热平衡时半导体中载流子的统计分布

学会状况密度、费米能级载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度

④半导体的导电性

熟练学会载流子的漂移运动、载流子的散射、迁移率与杂质浓度和温度的关系;知道热载流子。

⑤非平衡载流子

学会非平衡载流子的注入与复合、非平衡载流子的寿命、准费米能级、复合理论、陷阱效应、载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。

⑥ p-n结

理解p-n结及能带图、p-n结的电流电压特质、p-n结电容、p-n结击穿、p-n结隧道效应。

⑦ 金属和半导体的接触

熟练学会属和半导体接触的整流理论，理解少数载流子的注入、欧姆接触。